實驗名稱:非導體接觸式μLED器件的光電特性研究    

研究方向：交流LED驅動、半導體器件      

實驗內容:

依據非導體接觸式μLED模型，制備出相應的器件。其次是針對這種新型結構的μLED，研究其在交流信號驅動下的頻率-電壓、電流-電壓，發(fā)光強度等光電特性。

      GaN基微發(fā)光二極管(μLEDs)在超高分辨率顯示、微顯示、可見光通信、固態(tài)照明等方面有突出的優(yōu)勢。傳統(tǒng)μLED工作機制是：施加正向電壓時，空穴電子分別從p區(qū)n區(qū)注入到多量子阱中輻射復合發(fā)光。在正向偏壓下，從外部電極注入連續(xù)的電子和空穴，導致連續(xù)的電致發(fā)光。

測試目的：建立一種非導體接觸式μLED模型并揭示其工作機理，為改善μLED器件結構、優(yōu)化工作模式提供理論指導。

測試設備:非導體接觸式μLED器件、信號發(fā)生器、功率放大器、光功率計、雪崩光電探測器、示波器

放大器型號:ATA-122D功率放大器

實驗過程：  

  通過信號發(fā)生器產生不同頻率的電壓信號通過功率放大器進行放大輸出，并將其施加在非導體接觸式μLED器件上，采用示波器檢測其電學特性，光功率計、雪崩光電探測器測試其電致發(fā)光特性。

測試結果：

     1.在交流電場的驅動下，實現了在無外部電荷注入的情況下“無線”點亮μLED。

    2.提出了一種與載流子在交變電場作用下周期性振蕩相關的NEC&NCI模式的工作模型，并通過采用“載流子泵”實現高光功率密度，進一步實驗驗證了該模型。 

    3.簡要討論了“電容器內器件”的自我保護機制，即該結構μLED器件可以在高壓驅動下正常工作，防止電擊穿。

放大器在該實驗中發(fā)揮的效能:該設備是本實驗中的核心設備，提供驅動信號的調節(jié)功能      

您選擇該功率放大器的原因:設備性能高，參數滿足要求（差分輸出，電壓幅度較高、頻率范圍較大）